四氟化碳是一种造成温室效应的气体。它非常稳定,可以长时间停留在大气层中,是一种非常强大的温室气体。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时,四氟化碳具有单斜的结构,晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳的密度比较高,可以填满地面空间范围,在不通风的地方会导致窒息。四氟化碳成品应存放在阴凉,干燥,通风的库房内,严禁曝晒,远离热源。
四氟化碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造,以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。四氯1化碳与氟化1氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。含镁大于2%的合金不能用。在高温,一些金属起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下:因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。
高纯四氟化碳主要用于集成电路、半导体的等离子刻蚀领域,可用来蚀刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料,是用量大的等离子蚀刻气体。此外,高纯四氟化碳还可用于印刷电路板清洁、电子元器件清洗、太阳能电池生产等领域。四氟化碳用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺,也用作激光气体,用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。四氟化碳用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝,然后慢慢地气化后,随后通过硅胶干燥塔得到产品。
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