对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-O2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时,四氟化碳具有单斜的结构,晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
四氟化碳亦称全氟化碳、四氟甲1烷、全氟化碳,为非腐蚀性气体,所有通用材料如钢、不锈钢、铜、青铜,铝等金属材料都可以使用。四氟化碳是一种造成温室效应的气体。它非常稳定,可以长时间停留在大气层中,是一种非常强大的温室气体。四氟化碳一般认为是惰性低毒物质,在高浓度下是窒息剂,其毒性不及四氯1化碳。四氯化1碳与氟化1氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行。
常温常压下稳定,避免强氧化剂、可燃物。不燃气体,遇高热后容器内压增大,有开裂、炸危险。化学性质稳定,不燃。常温下只有液氨-试剂能发生作用。四氟化碳贮存注意事项:气瓶使用和检验遵照《气瓶安全监察规程》的规定。气瓶内的气体不能全部用尽,应该留不小于0.04MPa剩余压力。随着手机、相机、太阳能电池等消费电子产品的需求量不断攀升,高纯度四氟化碳将成为四氟化碳行业的主要增长动力。
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