四氟化碳在不同的大气压下呈现的状态是不同的,就像氧气在101kPa时会呈现出液态。四氟化碳是无色、无臭、不燃的可压缩性气体,发挥性较高.在900℃时,不与铜、镍、钨、钼反应,仅在碳弧温度下缓慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比),然而与可燃性气体燃烧时,会分解产生有毒氟化物。四氟化碳在900℃时,不与铜、镍、钨、钼反应,仅在碳弧温度下缓慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比),然而与可燃性气体燃烧时,会分解产生有毒氟化物。
对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-O2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳在不同的大气压下呈现的状态是不同的,就像氧气在101kPa时会呈现出液态。四氟化碳是无色、无臭、不燃的可压缩性气体,发挥性较高.预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,氟气先和单质硅反应。
四氟化碳的溶氧性很好,因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功,在275米到366米的深度内,小白鼠仍可安全脱险。随着芯片制程向7纳米迈进,细微杂质对芯片的损害更为明显,电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高,在此背景下,我国高纯四氟化碳生产技术与产品质量仍有提升空间。是微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,高纯气高纯氧的混合气,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻,在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
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