四氯化4碳与氟化1氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-H2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。
四氟化碳也一样,比如我们公司生产的钢瓶装四氟化碳在14MPA的气压下也是液态的,在正常大气压下就是气态的,四氟化碳是有一定毒性的应该不能用作呼吸。四氟化碳在不同的大气压下呈现的状态是不同的,就像氧气在101kPa时会呈现出液态。四氟化碳是无色、无臭、不燃的可压缩性气体,发挥性较高.四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
随着芯片制程向7纳米迈进,细微杂质对芯片的损害更为明显,电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高,在此背景下,我国高纯四氟化碳生产技术与产品质量仍有提升空间。四氟化碳贮存注意事项:气瓶使用和检验遵照《气瓶安全监察规程》的规定。气瓶内的气体不能全部用尽,应该留不小于0.04MPa剩余压力。我国人工智能、物联网市场仍在不断扩大,光伏发电累计装机容量不断上升,预计2020-2025年,我国高纯四氟化碳市场需求将继续以10.0%以上的增速增长。
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