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对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去O2、N2、H2，高纯四氟化碳供应商，得到高纯CF4。因为四氟化碳和四氟化1硅都是共价化合物，然而碳氟键的键能远远大于硅氟键的键能，键长也是前者短得多，所以四氟化碳的热稳定性更好。

四氟化碳的用途与作用 :

 四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常环境下是相对惰性的，四氟化碳生产，在不通风的地方会引起窒息。在射频等离子体环境中，氟自由基表现为典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高纯度的四氟化碳能很好的控制加工过程，使尺寸和形状得到更好的控制，这不同于其他的卤烃遇到空气或氧气时不利于各种特殊的控制（如半导体各项异性控制）。

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